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氧化鎵單晶襯底片及外延片

提供日本NCT高品質(zhì)氧化鎵單晶襯底片及外延片

晶體生長(zhǎng)設(shè)備

提供日本進(jìn)口晶體生長(zhǎng)爐，可實(shí)現(xiàn)EFG倒模提拉法生長(zhǎng)超寬禁帶單晶半導(dǎo)體材料

全自動(dòng)晶片倒角設(shè)備

提供日本進(jìn)口全自動(dòng)晶片倒角設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)更高精度的晶圓倒角要求

全自動(dòng)晶片減薄設(shè)備

提供日本進(jìn)口全自動(dòng)晶片減薄設(shè)備，可滿足客戶不同減薄需求的全自動(dòng)量產(chǎn)設(shè)備

關(guān)于我們

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?天津市萬(wàn)德思諾國(guó)際貿(mào)易有限公司成立于2019年5月17日，公司秉承“引進(jìn)尖端技術(shù)、服務(wù)本土客戶”的理念，主要代理銷售日本及歐美等國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域（碳化硅、氮化鎵等）的先進(jìn)材料和尖端設(shè)備，致力于服務(wù)國(guó)內(nèi)各大高校、研究單位和半導(dǎo)體行業(yè)客戶。公司創(chuàng)始人核心團(tuán)隊(duì)成員均具有15年以上相關(guān)從業(yè)經(jīng)歷，特別是在寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)具有豐富的經(jīng)驗(yàn)和資源。

自公司成立以來(lái)團(tuán)隊(duì)開始積極布局和銷售第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域（氧化鎵）的相關(guān)材料和設(shè)備，不斷整合行業(yè)技術(shù)資源并融合本公司的專業(yè)技術(shù)和售后團(tuán)隊(duì)，竭誠(chéng)為每一位客戶提供優(yōu)質(zhì)的全產(chǎn)業(yè)化方案以及專業(yè)的技術(shù)支持和優(yōu)質(zhì)的售后服務(wù)。

萬(wàn)德思諾致力于成為寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備及材料專業(yè)供應(yīng)商！

Wide-BandGap Semiconductor Industry Equipment and Material Professional Supplier!

核心競(jìng)爭(zhēng)力

Core Competitiveness

核心技術(shù)

提供全球領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)鍵材料和設(shè)備。
資源整合

深耕化合物集寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)，提供全產(chǎn)業(yè)鏈的材料和設(shè)備解決方案。
一站式服務(wù)

提供詳細(xì)的售前技術(shù)咨詢服務(wù)，可安排免費(fèi)的樣品測(cè)試。多樣化的交易方式，滿足不同客戶采購(gòu)要求。提供設(shè)備的安裝、保養(yǎng)、維修、升級(jí)等一站式服務(wù)。
專業(yè)團(tuán)隊(duì)

公司研發(fā)人員長(zhǎng)期從業(yè)于半導(dǎo)體行業(yè)，有豐富的設(shè)備使用、安裝、調(diào)試經(jīng)驗(yàn)，從專業(yè)角度為您提供專業(yè)服務(wù)。
成本優(yōu)勢(shì)

從技術(shù)方案到生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)管理，公司有完整的科學(xué)的成本管控方案，從多角度為客戶打造最優(yōu)方案。

新聞動(dòng)態(tài)

News Center

2025-11-13 16:15:18

NCT技術(shù)總監(jiān)佐佐木公平團(tuán)隊(duì)聯(lián)合及佐賀大學(xué)：堆垛層錯(cuò)引起的(001)β相氧化鎵(100)微裂紋及SBD反向漏電流研究

研究報(bào)道了在鹵化物氣相外延（HVPE）法生長(zhǎng)的 (001) β-Ga2O3 外延層中存在的微裂紋，是肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）中的致命缺陷。

2025-11-13 16:15:18

廈門大學(xué)楊曄教授聯(lián)合上海光學(xué)精密機(jī)械研究所齊紅基研究員團(tuán)隊(duì)：鐵摻雜氧化鎵中深能級(jí)的電子輸運(yùn)影響

結(jié)果表明，頻率依賴的太赫茲電導(dǎo)表現(xiàn)出由非均勻散射主導(dǎo)的彌散型電荷傳輸行為，可通過 Drude–Smith 模型有效描述。

2025-11-13 16:15:17

南京郵電大學(xué)唐為華教授、郭宇鋒教授、張茂林教授團(tuán)隊(duì)：采用Mist-CVD法制備的高性能α-Ga?O?深紫外光探測(cè)器

研究結(jié)果表明，mist-CVD 生長(zhǎng)的 α-Ga2O3 材料在可規(guī)模化、低成本制備下一代深紫外光電器件方面具有重要應(yīng)用潛力。

2025-11-13 16:15:15

突破性進(jìn)展！西電郝躍院士、張進(jìn)成教授、寧?kù)o教授團(tuán)隊(duì)：通過可調(diào)控的相穩(wěn)定化優(yōu)化實(shí)現(xiàn)單相ε-Ga?O?外延生長(zhǎng)

本研究建立了一種可重復(fù)、界面敏感的 ε-Ga2O3 外延生長(zhǎng)途徑，強(qiáng)調(diào)了界面工程與相調(diào)控策略在推動(dòng)超寬禁帶氧化物半導(dǎo)體實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵作用。

2025-11-13 16:15:13

華南理工大學(xué)頂刊發(fā)表：具有集成光電突觸功能的ITZO/Ga?O?異質(zhì)結(jié)憶阻器在類腦視覺應(yīng)用中的研究

本文提出了一種由Ag/銦錫鋅氧化物（ITZO）/Ga2O3/銦錫氧化物（ITO）異質(zhì)結(jié)構(gòu)構(gòu)建的光電子憶阻器。

2025-11-13 16:15:11

廈門大學(xué)&杭光所&上光所&復(fù)旦大學(xué)&吉林大學(xué)等團(tuán)隊(duì)：β-Ga?O?薄膜外延生長(zhǎng)與摻雜技術(shù)的最新進(jìn)展與展望綜述

本文綜述了采用分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、氫化物氣相外延及其他生長(zhǎng)技術(shù)在 Ga2O3 薄膜外延生長(zhǎng)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。